硅漂移探测器
硅漂移探测器（Silicon Drift Detector，简称SDD）是半导体探测器的一种，用来探测X射线，广泛应用在能量色散型X射线荧光光谱仪（XRF）或者X射线能谱仪（EDS）上。
产品简介
最早的SDD探测器的概念是1983年Gatti和Rehak根据侧向耗尽的原理提出的。它的主要结构是一块低掺杂的高阻硅，背面的辐射入射处有一层很薄的异质突变结，正面的异质掺杂电极设计成间隔很短的条纹（通常做成同心圆环状，参见下图），反转偏置场在电极间逐步增加，形成平行表面的电场分量。耗尽层电离辐射产生的电子受该电场力驱动，向极低电容的收集阳极“漂移”，形成计数电流。
SDD探测器的最突出特点有：
1.高计数率。由于收集阳极的电容极低，相比通常的硅PIN器件，SDD具有更短的上升时间，因而特别适合在高计数率的情况下工作。
2.高能量分辨率。SDD的阳极面积小于通常硅PIN器件，由于电容的减小，在收集等量电荷的情况下具有更高的电压，提高了其能量分辨率。
3.可在常温下工作。SDD的电容和漏电流要比一般探测器小两个数量级以上，通常把场效应管（FET）和Peltier效应器件都整合到一起，这样仪器在常温下就能满足SDD的制冷需求，特别适用于便携式设备的现场使用。
目前市场上代表性的大面积SDD采用了几何优化的GOLDD技术，探测器面积可达到25mm2。