狄增峰
狄增峰，男，1979年4月出生，江苏海安人，博士，研究员，现任中国科学院上海微系统与信息技术研究所副所长。
人物经历
教育经历
狄增峰于1997年9月至2001年6月在南京大学基础学科教学强化部（现匡亚明学院）就读，获得学士。2001年9月至2006年6月在中国科学院上海微系统与信息技术研究所攻读硕士和博士，期间于2004年3月至2005年9月在香港城市大学物理与材料科学系进行联合培养，并于2006年获得工学博士学位。
工作经历
狄增峰于2006年9月至2010年8月在美国Los Alamos国家实验室担任博士后研究员。2010年9月，他作为海外杰出人才被中国科学院上海微系统与信息技术研究所聘为研究员。2016年4月至2017年8月，他担任上海微系统所信息功能材料实验室副主任。2017年8月起，狄增峰担任上海微系统所科研部部长，并于2018年5月起担任上海微系统所所长助理。2019年7月起，他担任上海微系统所副所长。
参与会议
狄增峰参与了多项国际会议，包括在2009年4月发表的关于Strain relaxation of nano-laminate SiGe in Si/SiGe/Si heterostructure under proton irradiation的报告，以及在2008年8月发表的关于Evolution of implantation induced damage under further ion irradiation: influence of damage的报告。
职务任免
2023年7月31日，中共中国科学院党组中共上海分院分党组经研究，决定狄增峰同志任上海微系统与信息技术研究所党委书记。
研究方向
狄增峰长期从事SOI材料、电子器件及相关技术应用和基础研究工作，主要针对微电子技术器件特征尺寸缩小带来的短沟道效应、迁移率退化的物理难题，开展高端SOI材料，包括全耗尽SOI材料、应变SOI（sSOI）、绝缘体上锗（GeOI）和绝缘体上石墨烯（GrOI）的应用基础研究工作。
科研项目
（1） 高迁移率III/V-OI 新型材料探索研究，主持，部委级，2012-01--2015-12
（2） 纳电子时代的高端SOI基材料，主持，部委级，2011-10--2014-09
（3） 高迁移率绝缘体上锗新型材料研究，主持，市地级，2011-10--2013-09
（4） 氢离子注入各种晶向单晶硅中表面剥离机理研究，主持，部委级，2010-09--2013-09
（5） 22nm关键工艺技术先导智能研究与平台建设－新型混晶SOI与GOI高迁移率器件工艺开发，主持，专项级，2009-01--2012-12
主要成就
狄增峰的研究成果在Materials Science and Engineering: R、Nature Communications、Advanced Materials、Nano Letters等杂志共发表SCI论文130余篇。他共授权国内发明专利91件，授权国际发明专利6件。
专利成果
狄增峰的专利成果包括在硅基万能衬底上生长多层异质外延薄膜，以及基于注氧隔离技术的绝缘体上锗硅材料及其制备技术。
所获荣誉
狄增峰曾获得全国百篇优秀博士学位论文（2008）、中国科学院院长奖特别奖（2006）、美国Los Alamos国家实验室主任基金（2006）和中国科学院优秀博士学位论文（2007）。他还入选了中科院人才项目（2015年终期评估优秀），上海市“浦江人才计划”，获得国家中华人民共和国国家自然科学基金委员会“优秀青年基金”支持，国家级青年拔尖人才支持，上海市优秀学术带头人、中国科学院上海分院杰出青年，国家级人才工程国家级人选，国家级领军人才、国务院政府特殊津贴。2019年获得国家自然科学基金委“杰出青年基金”支持。2020年8月，入选第十六届中国青年科技奖获奖人选名单。2020年10月15日，荣获第十六届中国青年科技奖。2023年5月26日，被授予2022年上海市青年科技杰出贡献奖。
代表论文
狄增峰的代表论文包括在Physical Review B、Organic 电子学、Applied Physics Letters、Journal of Applied Physics等杂志上发表的多篇论文，涉及氢气泡超晶格、有机薄膜晶体管老化控制、氢化硅的反退火效应、氢驱动和沉淀控制、动态退火与热退火对氢诱导缺陷形成的影响，以及植入损伤的进一步离子辐照下的演变等研究。